氧缺位检测

点击:94丨发布时间:2025-05-19 15:00:09丨关键词:CMA/CNAS/ISO资质,中析研究所,氧缺位检测

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参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

检测项目

1.氧空位浓度:测量范围11015-11020cm-3,精度5%

2.空位扩散系数:温度范围25-1000℃,分辨率0.01cm2/s

3.缺陷激活能:测试范围0.1-5.0eV,误差≤0.05eV

4.局域电子态密度:能量分辨率0.01eV@1keV

5.晶格畸变率:应变测量精度0.02%,空间分辨率1nm

检测范围

1.半导体材料:GaN、SiC、ZnO单晶及薄膜

2.金属氧化物:TiO2、HfO2、Al2O3

3.功能陶瓷:BaTiO3、SrTiO3、PZT压电陶瓷

4.催化剂载体:CeO2基催化剂、钙钛矿型催化剂

5.电池材料:LiCoO2正极材料、固态电解质LLZO

检测方法

1.ASTME112-13:电子背散射衍射法测定晶格畸变

2.ISO18516:2019:X射线光电子能谱深度剖析技术

3.GB/T13390-2008:正电子湮没寿命谱分析法

4.ASTMF1526-18:二次离子质谱(SIMS)定量分析标准

5.GB/T30834-2014:光致发光光谱法缺陷态检测规程

检测设备

1.FEINovaNanoSEM450:场发射扫描电镜,配备EDS/EBSD联用系统

2.ThermoScientificK-Alpha+:单色化X射线光电子能谱仪

3.ORTECPositronLifetimeSpectrometer:正电子寿命谱仪(时间分辨率220ps)

4.CAMECAIMS7f-Auto:高灵敏度二次离子质谱仪(质量分辨率M/ΔM≥20,000)

5.HoribaLabRAMHREvolution:共聚焦显微拉曼光谱仪(532/633/785nm激光源)

6.Agilent5500AFM/STM:原子力/扫描隧道显微镜联用系统(Z轴分辨率0.01nm)

7.BrukerD8ADVANCE:高分辨X射线衍射仪(Cu靶Kα辐射源)

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100:等离子体处理与低温输运测量系统(4-400K)

9.KeysightB1500A:半导体参数分析仪(电流分辨率0.1fA)

10.PerkinElmerLambda1050+:紫外-可见-近红外分光光度计(波长范围175-3300nm)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。