硅片表面金属测试

点击：92丨发布时间：2026-05-11 19:55:09丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，硅片表面金属测试

上一篇：欧六排放测试丨下一篇：返回列表

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.碱金属检测：锂、钠、钾等元素的含量分析。

2.碱土金属检测：镁、钙等元素的含量分析。

3.过渡金属检测：铁、镍、铜、铬、锌等元素的含量分析。

4.重金属检测：铅、镉、汞等元素的含量分析。

5.表面金属浓度分析：单位面积内金属原子的总数测定。

6.深度分布测试：金属杂质随硅片深度变化的分布情况。

7.氧化层金属分析：生长氧化层中夹杂的金属离子检测。

8.晶圆边缘污染检测：硅片边缘区域的金属残留分析。

9.背面金属污染分析：硅片背面受到的金属元素污染检测。

10.痕量元素定量分析：极低浓度金属杂质的精确测量。

11.金属离子浸出测试：通过化学处理获取表面金属离子的过程。

12.颗粒附着金属分析：附着在硅片表面颗粒中的金属成分鉴定。

检测范围

单晶硅片、多晶硅片、外延片、抛光片、退火片、太阳能级硅片、半导体级硅片、掺杂硅片、回收硅片、薄膜硅片、绝缘体上硅、图案化硅片、非图案化硅片、硅棒切片、硅块、再生硅片

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定极低浓度的多元素金属杂质，具有极高的检测灵敏度。

2.全反射埃克斯射线荧光光谱仪：专门用于硅片表面非破坏性的微量金属元素定量分析。

3.二次离子质谱仪：分析硅片表面及近表面金属元素的深度分布曲线和浓度变化。

4.原子吸收分光光度计：通过原子蒸气对特定波长光的吸收进行特定金属元素的定量分析。

5.扫描电子显微镜：观察表面微观形貌并配合能谱分析识别金属元素的种类。

6.埃克斯射线光电子能谱仪：分析表面金属元素的化学价态以及具体的成分构成。

7.气相分解系统：利用化学气相收集硅片表面的金属杂质以提高后续分析的检测限。

8.深能级瞬态谱仪：检测硅材料中因金属杂质引入而形成的深能级缺陷能级。

9.能量色散埃克斯射线光谱仪：快速识别表面较大颗粒或特定区域的金属元素组成。

10.电化学阻抗谱仪：评估金属污染对硅片表面电学特性及界面态密度的影响。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。