大四寸片检测
点击：92丨发布时间：2025-05-27 15:35:43丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，大四寸片检测
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
检测项目
1.厚度均匀性：全片9点测量法（公差0.5μm）
2.表面粗糙度：原子力显微镜扫描（Ra≤0.1nm）
3.翘曲度：激光干涉仪测量（允许值≤10μm/m）
4.电阻率：四探针法（精度0.5%）
5.金属污染：TXRF分析（检出限1E9atoms/cm）
检测范围
1.单晶硅抛光片（直径100mm/125mm）
2.砷化镓外延片（厚度62525μm）
3.碳化硅衬底（4H/6H晶型）
4.光学玻璃基板（K9/BK7材质）
5.金属薄膜涂层（Al/Cu/TiN系）
检测方法
1.ASTMF533-15晶圆厚度测量规范
2.ISO4287:1997表面粗糙度评定标准
3.GB/T6618-2009硅片翘曲度测试方法
4.SEMIMF84-02四探针电阻率测试规程
5.GB/T32281-2015半导体材料金属污染分析
检测设备
1.KLATencorP-17+轮廓仪（分辨率0.1nm）
2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜（扫描范围90μm）
3.ZygoVerifireMST激光干涉仪（精度λ/1000）
4.MitsubishiMCP-T610四探针台（电流范围1nA-100mA）
5.ThermoFisherTXRF8030F污染分析仪（检出限5E8atoms/cm）
6.OlympusMX63金相显微镜（500X放大倍率）
7.Agilent5500扫描探针显微镜（导电模式测量）
8.HitachiSU5000场发射电镜（EDS元素分析模块）
9.LeicaDCM8三维表面轮廓仪（垂直分辨率0.01nm）
10.KeysightB1500A半导体参数分析仪（IV/CV测试功能）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
前沿项目