慢正电子束检测

点击：97丨发布时间：2025-05-26 14:25:00丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，慢正电子束检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.正电子寿命谱分析：测量范围0.1-10ns，时间分辨率≤220ps

2.多普勒展宽能谱：能量分辨率≤1.3keV@511keV

3.S参数测量：表面/界面缺陷灵敏度达1E15cm⁻

4.三维湮灭辐射角关联：角度分辨率≤1mrad

5.慢正电子束深度剖面分析：能量调节范围0.1-30keV

1.半导体材料：单晶硅/锗片、GaN外延层、SiC衬底

2.金属材料：铝合金晶界缺陷、钛合金氢脆损伤评估

3.高分子材料：聚乙烯交联度、聚丙烯结晶度分析

4.陶瓷材料：氧化铝晶界扩散、氮化硅烧结孔隙率

5.薄膜涂层：氮化钛硬质涂层结合强度、类金刚石膜应力分布

ASTMF1190-18半导体材料正电子湮灭测试规程

ISO16737:2016非金属材料缺陷表征的正电子寿命谱法

GB/T32896-2016金属材料空位型缺陷的正电子湮没检测方法

GB11220.2-2020固体表面分析技术规范-正电子束分析

ISO18516:2022表面化学分析-慢正电子束深度剖析方法

1.OrtecPositronLifetimeSpectrometerModelPLS-3000：时间数字转换器（TDC）配合BaF₂探测器

2.CanberraPAScopeModel4500：高纯锗探测器配合多普勒展宽分析模块

3.KratosAnalyticalSlowPositronBeamSystemSPB-2000：可调能量束流（0.5-30keV）

4.BrukereLINACPositronSource：22Na放射源配合钨慢化体

5.JEOLJPS-9000场发射正电子显微镜：空间分辨率≤50nm

6.ShimadzuPASTA-300三维角关联仪：128通道位置灵敏探测器

7.OxfordInstrumentsPositronImplantorPI-500：脉冲束流频率10-1000Hz可调

8.AmetekDSPEC-50数字信号处理器：实时符合计数处理能力≥1MHz

9.RIGAKUPositronAnnihilationAnalysisSystemPAAS-FSX：配备真空样品室（≤1E-6Torr）

10.HoribaScientificPAS-FLIM联用系统：荧光寿命与正电子寿命同步测量模块

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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