次级晶格缺陷检测

点击：98丨发布时间：2025-05-12 11:57:03丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，次级晶格缺陷检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.点缺陷浓度：测量空位/间隙原子密度（单位：cm⁻），精度5%
2.位错密度：量化线缺陷分布（单位：m/m），分辨率≥10⁸m⁻
3.层错能：测定面缺陷形成能（单位：mJ/m），误差范围≤3%
4.晶界偏析系数：分析杂质原子在晶界处的富集程度（无量纲）
5.空位团簇分布：统计2-10原子空位团尺寸及空间分布（单位：nm⁻）

检测范围

1.半导体材料：硅单晶、GaN外延层、碳化硅衬底
2.金属合金：镍基高温合金、钛铝合金、高熵合金
3.陶瓷材料：氧化锆结构陶瓷、氮化铝基板
4.高分子晶体材料：聚乙烯单晶、聚丙烯β晶型
5.光学晶体材料：蓝宝石窗口片、YAG激光晶体

检测方法

1.ASTME112-13：晶粒尺寸测定与位错密度计算标准
2.ISO643:2020：钢中非金属夹杂物显微评定方法
3.GB/T13298-2015：金属显微组织检验方法
4.ASTMF47-08(2020)：硅晶体完整性测试规程
5.ISO22262-3:2016：材料表面层错能XRD测定法
6.GB/T3488.2-2018：硬质合金孔隙度与非化合碳金相测定

检测设备

1.FEITecnaiG2F30透射电镜：原子级分辨率（0.1nm）的位错观测
2.BrukerD8ADVANCEXRD衍射仪：点缺陷浓度定量分析（CuKα辐射）
3.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：三维层错重构与离子束剖面分析
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：晶界特征统计（分辨率50nm）
5.ParkSystemsNX20原子力显微镜：表面空位团簇形貌表征（Z轴精度0.1nm）
6.RigakuSmartLabX射线衍射仪：残余应力与微应变测量（θ/θ测角仪）
7.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：单原子空位识别（加速电压300kV）
8.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：原位高温缺陷演变分析（RT-1600℃）
9.ThermoFisherScios2DualBeam：聚焦离子束制备TEM样品（束流1pA-50nA）
10.HORIBALabRAMHREvolution拉曼光谱仪：应力诱导缺陷光谱指纹识别（532nm激光

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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