等效二极管检测
点击：99丨发布时间：2025-03-21 10:53:49丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，等效二极管检测
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
检测项目
正向压降（VF）：测试电流1mA-10A范围内压降值（0.3V-1.5V）
反向击穿电压（VBR）：测量反向漏电流≤100μA时的临界电压（50V-3000V）
结电容（Cj）：频率1MHz下测试结电容值（1pF-1000pF）
反向恢复时间（trr）：脉冲电流10A条件下测量恢复时间（5ns-500ns）
热阻（RθJA）：功率耗散1W-50W时计算结到环境热阻（10℃/W-150℃/W）
检测范围
硅基整流二极管（1N4007系列等）
锗材料点接触二极管（1N60P等）
肖特基势垒二极管（BAT54系列等）
快恢复二极管（FR307等）
瞬态电压抑制二极管（TVS管P6KE系列等）
检测方法
正向特性测试：GB/T 4023-2015《半导体器件分立器件第2部分》
反向特性测试：IEC 60747-1:2006《半导体器件通用规范》
动态参数测试：ASTM F1248-16《功率半导体开关特性测量》
热特性分析：JESD51-14《瞬态热测试方法》
可靠性试验：GB/T 4937-2012《半导体器件机械和气候试验方法》
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：IV特性曲线扫描与动态参数测试
Tektronix MSO64示波器：ns级反向恢复时间波形捕获
Agilent 4284A LCR表：高频结电容精确测量
Cascade Summit 12000探针台：晶圆级参数测试
T3Ster热阻测试系统：瞬态热特性分析
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
前沿项目