光刻胶配方,光刻胶剥离液配方,光刻胶剥离剂配方,光刻胶配方成分分析_第三方检测机构-中化所检测中心

点击:9128丨发布时间:2025-06-30 22:15:15丨关键词:CMA/CNAS/ISO资质,中析研究所,光刻胶配方,光刻胶剥离液配方,光刻胶剥离剂配方,光刻胶配方成分分析_第三方检测机构-中化所检测中心

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参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

检测项目

成分分析:

  • 主成分定量:树脂固含量(±0.5%,GB/T 1725)、感光剂纯度(HPLC≥99.8%)
  • 金属杂质:钠离子(≤0.1ppb,SEMI C43-0308)、钾离子(≤0.5ppb)
  • 有机污染物:残余单体(GC-MS≤50ppm)、溶剂残留(DMSO≤0.01%)
物理性能:
  • 流变特性:粘度(23℃±0.1℃,Brookfield DV2T)、触变指数(TI≥1.2)
  • 成膜性能:膜厚均匀性(±1.5%,SEMI C84-0309)、折射率(633nm±0.001)
感光特性:
  • 灵敏度:曝光能量(E₀,mJ/cm²±5%)
  • 对比度(γ值≥3.0,SEMI P1-92)
  • 分辨率(CD≤15nm,SEMI P35-1101)
工艺适配性:
  • 粘附力:百格法测试(5B级,ASTM D3359)
  • 显影速率:溶解速度(nm/sec±5%,SEMI C84)
  • 残胶率(≤0.1%,SEMI C37)
剥离液效能:
  • 剥离速率(Å/min±3%,SEMI C36)
  • 金属腐蚀:铜蚀刻率(≤0.1nm/min)
  • 材料兼容性:低介电材料损伤度(电容变化≤1%)
电化学特性:
  • 溶液电导率(μS/cm±1%,ASTM D1125)
  • 氧化还原电位(ORP mV±5)
热稳定性:
  • 玻璃化温度(DSC±0.5℃)
  • 热分解温度(TGA≥200℃)
环境可靠性:
  • 耐等离子体性:刻蚀选择比(≥30:1)
  • 耐湿性:吸水率(≤1.5%,JIS K7209)
残留物分析:
  • 有机残留:FTIR检测限(≤10⁻⁹g/cm²)
  • 无机残留:ICP-MS检测限(≤0.01ppt)
安全性能:
  • 闪点(≥93℃,ISO 3679)
  • VOC含量(≤50g/L,GB 38508)

检测范围

1. i线光刻胶: 酚醛树脂-重氮萘醌体系,重点检测感光波长(365nm)分辨力与耐碱性

2. KrF光刻胶: 聚对羟基苯乙烯衍生物,检测深紫外曝光图案转移保真度

3. ArF浸没式光刻胶: 丙烯酸酯共聚物,控制浸液环境下的组分溶出量

4. EUV光刻胶: 金属氧化物抗蚀剂,检测光子效率(PE≥5)及线边缘粗糙度(LER≤1.5nm)

5. 化学放大胶(CAR): 光酸产生剂含量检测(HPLC精度0.01%)

6. 负性光刻胶: 环化橡胶体系,侧重交联密度(FTIR定量)

7. 剥离液(碱性): 羟胺/醇胺体系,监控铜布线腐蚀抑制性能

8. 剥离液(溶剂型): NMP/DMSO基溶液,检测高分子残留溶解效率

9. 干膜光刻胶: 聚酯载体剥离强度(≥0.8N/cm)

10. 电子束光刻胶: PMMA基材,检测显影对比度(γ≥4)

检测方法

国际标准:

  • SEMI C36-1103 光刻胶剥离速率测试
  • ASTM D3359-17 胶带法附着力测试
  • ISO 3251:2019 涂料不挥发物含量测定
  • JIS K5600-5-7 耐溶剂擦拭测试
国家标准:
  • GB/T 31196-2014 光刻胶分辨率测定
  • GB/T 37248-2018 高纯试剂金属杂质ICP-MS法
  • GB/T 36706-2018 光刻胶黏度测定
  • GB/T 38244-2019 光刻胶热稳定性测试(TGA法)
(方法差异说明:SEMI C84膜厚测试采用旋涂参数2000rpm/30s,GB/T 31196则设定3000rpm/45s;ISO 3251规定105℃烘烤1h,JIS K5400要求120℃烘烤2h)

检测设备

1. 膜厚测量仪: KLA-Tencor Alphastep D-600(分辨率0.1nm)

2. 椭偏仪: J.A.Woollam M2000DI(波长范围190-1700nm)

3. 流变仪: TA Instruments DHR-3(剪切速率0.01-1000s⁻¹)

4. 离子色谱仪: Thermo Scientific ICS-6000(检出限0.1ppb)

5. 高分辨质谱仪: Waters Xevo G2-XS QTOF(质量精度<1ppm)

6. 扫描电镜: Hitachi Regulus 8230(分辨率0.6nm@15kV)

7. 曝光机: SUSS MicroTec MA8(波长覆盖g/i/h线)

8. 等离子刻蚀机: Oxford Instruments PlasmaPro 100(气体流量控制±0.1sccm)

9. 热重分析仪: NETZSCH TG 209F3(温度精度±0.1℃)

10. 红外光谱仪: Nicolet iS50(波数精度0.01cm⁻¹)

11. 原子力显微镜: Bruker Dimension Icon(分辨率0.2nm)

12. 电化学工作站: Princeton VersaSTAT 4(电流分辨率10pA)

13. 激光粒度仪: Malvern Mastersizer 3000(测量范围0.01-3500μm)

14. 超纯水系统: Merck Milli-Q IQ 7000(电阻率18.2MΩ·cm)

15. 环境试验箱: ESPEC PSL-3KPH(温控±0.3℃)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。