半导体平整度测试

点击：929丨发布时间：2026-03-14 10:02:14丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，半导体平整度测试

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.表面平整度：全幅平面度测量，局部平面度测量，面形偏差分析。

2.翘曲度：整体翘曲量评估，中心到边缘翘曲分布，翘曲方向性分析。

3.波纹度：中频波纹检测，波纹周期测量，波纹幅值评估。

4.局部高低差：局部峰谷差测量，局部起伏统计，微区高度分布。

5.厚度均匀性：厚度分布测量，厚度差异评估，均匀性统计。

6.表面形貌：表面高度图获取，三维形貌分析，表面粗糙度关联。

7.边缘平整度：边缘高度变化，边缘翘曲评估，边缘平坦区域判定。

8.平面度重复性：重复测量一致性，测量稳定性评估，数据漂移分析。

9.平整度一致性：批次间一致性，片内一致性，区域一致性。

10.表面倾斜度：整体倾斜角测量，局部倾斜分析，倾斜方向判定。

11.曲率半径：整体曲率评估，曲率变化分布，曲率与翘曲关系。

12.面形残差：面形拟合残差，残差分布统计，异常点识别。

检测范围

硅晶圆、外延片、抛光片、减薄片、载片、衬底片、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、玻璃衬底、芯片基板、封装基板、引线框架、测试载板、光刻掩膜基片、芯片盖板、散热片、介质层样片、金属薄膜片、晶圆级封装片

检测设备

1.光学干涉测量仪：用于全幅平面度测量，获取面形高度分布。

2.白光共聚焦测量仪：用于微区高度扫描，分析局部高低差。

3.激光轮廓测量仪：用于快速轮廓采集，评估翘曲与倾斜。

4.三维表面形貌测量仪：用于获取三维形貌图，分析平整度与波纹度。

5.电容式位移测量系统：用于高精度位移测量，评估平面度变化。

6.接触式轮廓仪：用于线扫形貌测量，分析局部起伏。

7.自动厚度测量系统：用于厚度分布测量，评估均匀性。

8.平面度专用扫描平台：用于多点扫描测量，提高片内一致性评估。

9.曲率测量装置：用于曲率半径评估，分析整体弯曲趋势。

10.环境稳定测量台：用于控制环境影响，提升测量重复性与稳定性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。