吸收碳化硅测试

点击：950丨发布时间：2026-02-27 20:53:40丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，吸收碳化硅测试

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.光学性能测试：紫外-可见-近红外吸收光谱，红外吸收光谱，吸收系数测定，透射率测试。

2.电学性能关联测试：基于吸收光谱的载流子浓度估算，深能级缺陷分析，电阻率关联分析。

3.材料物性测试：晶体质量评估，杂质含量定性分析，晶格缺陷表征。

4.表面与界面分析：表面态引起的吸收分析，外延层界面吸收特性。

5.高温性能测试：变温吸收光谱测试，热稳定性能评估。

6.薄膜特性测试：薄膜厚度与吸收关系分析，薄膜均匀性评估。

7.晶圆级测试：全片面吸收均匀性映射，局部缺陷点扫描分析。

8.能带结构分析：直接带隙与间接带隙判定，禁带宽度精确测定。

9.应力与应变分析：应力导致的吸收边偏移分析。

10.辐照效应测试：辐照前后吸收特性对比，抗辐照性能评估。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅抛光片、碳化硅晶锭、碳化硅粉末、碳化硅陶瓷基板、碳化硅光学窗口、碳化硅涂层样品、碳化硅复合材料、碳化硅器件晶圆、碳化硅晶片碎片、碳化硅靶材

检测设备

1.紫外可见近红外分光光度计：用于测量材料在紫外、可见光到近红外波段的吸收与透射光谱；具备高分辨率与高灵敏度，可配备积分球进行漫反射测量。

2.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料在中红外和远红外波段的吸收特性；可检测分子振动、晶格振动及自由载流子吸收。

3.光致发光光谱仪：通过激发材料发光并分析其光谱，间接反映材料的能带结构、缺陷态及杂质信息；常用于非接触式缺陷检测。

4.椭偏光谱仪：通过测量偏振光反射或透射后的状态变化，精确获取薄膜材料的复折射率、吸收系数及厚度等多重参数。

5.激光显微拉曼光谱仪：通过分析拉曼散射光，表征材料的晶体结构、应力状态、晶格缺陷及杂质类型，空间分辨率高。

6.X射线衍射仪：用于精确测定材料的晶体结构、晶格常数、结晶质量及相组成，为分析吸收特性提供结构基础。

7.深能级瞬态谱仪：专门用于检测半导体材料中深能级缺陷的浓度、能级位置和俘获截面，与光学吸收缺陷关联分析。

8.变温样品室：与光谱设备联用，实现从低温到高温环境下材料吸收特性的连续测量，用于研究温度对材料性能的影响。

9.晶圆级光学扫描系统：自动化扫描测量大面积晶圆上各点的吸收或透射光谱，生成二维均匀性分布图。

10.高灵敏度探测器系统：包括液氮制冷探测器等，用于增强微弱吸收信号的探测能力，提升测试精度与信噪比。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。