氮化硅光谱电气分析
点击：946丨发布时间：2026-02-27 21:53:59丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，氮化硅光谱电气分析
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
检测项目
1. 成分与结构分析：氮硅原子比测定、氢含量分析、化学键合状态鉴定、薄膜密度评估。
2. 膜层特性检测：薄膜厚度测量、折射率与消光系数测定、应力状态分析、均匀性与致密性评估。
3. 电学性能测试：介电常数与损耗角正切测量、漏电流密度测试、击穿电场强度评估、界面陷阱电荷密度分析。
4. 可靠性评估：偏压温度应力测试、时间依赖介电击穿试验、抗湿气侵蚀性能评估、热稳定性测试。
5. 光学性能表征：透射光谱与反射光谱分析、光学带隙计算、红外吸收特性测定。
6. 表面与界面分析：表面粗糙度测量、界面层化学成分鉴定、元素深度分布剖析。
检测范围
半导体晶圆氮化硅钝化层、集成电路介质层氮化硅薄膜、微机电系统氮化硅结构层、功率器件栅极氮化硅绝缘层、太阳能电池氮化硅减反射涂层、光电器件用氮化硅波导层、陶瓷基氮化硅基板、纳米颗粒形态氮化硅粉体、沉积于各类衬底的研究用氮化硅样品、氮化硅复合陶瓷材料、高频电路用氮化硅介质基片、传感器氮化硅敏感膜、存储器件中的氮化硅电荷俘获层、集成电路制造工艺中的氮化硅硬掩模、封装用氮化硅绝缘衬底
检测设备
1. 傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料中的化学键合类型、分子结构及氢含量；具有高信噪比和快速扫描能力。
2. 光谱型椭偏仪：用于无损、精确测量薄膜的厚度、折射率、消光系数等光学常数；可进行多层膜分析。
3. X射线光电子能谱仪：用于表面及界面元素的定性、定量分析和化学态鉴定；可进行深度剖析。
4. 辉光放电发射光谱仪：用于材料从表面到内部的元素深度分布分析；具有较高的深度分辨率。
5. 原子力显微镜：用于表征薄膜表面的三维形貌、粗糙度及微观结构；可在多种环境下进行测量。
6. 半导体参数分析仪：配合探针台，用于精确测量薄膜的电流电压特性、电容电压特性等电学参数。
7. 精密阻抗分析仪：用于宽频率范围内测量材料的介电常数、介电损耗等特性；适用于薄膜介质材料。
8. 高阻计与静电计：用于测量高绝缘电阻材料的体电阻率和表面电阻率；灵敏度极高。
9. 高压击穿测试仪：用于评估薄膜介质材料的击穿电压和击穿场强；具备可编程的升压速率和过流保护。
10. 紫外可见近红外分光光度计：用于测量材料的透射光谱和反射光谱，进而分析其光学带隙和吸收特性。
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
前沿项目