单晶硅检测,单晶硅检测机构,单晶硅分析检测_第三方检测机构-中化所检测中心

点击：985丨发布时间：2025-06-30 20:45:27丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，单晶硅检测,单晶硅检测机构,单晶硅分析检测_第三方检测机构-中化所检测中心

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

晶体结构分析：

位错密度检测：腐蚀坑密度（EPD≤1000/cm²，SEMI MF1810）
晶向偏离度：方向偏差≤0.5°（XRD法，GB/T 1555）

电学性能测试：

电阻率：0.001-100Ω·cm四探针法（SEMI MF84）
少子寿命：微波光电导衰减（μ-PCD≥200μs，SEMI MF1530）

杂质含量测定：

间隙氧浓度：FTIR法（1107cm⁻¹，ASTM F1188）
替位碳浓度：FTIR法（605cm⁻¹，≤5×10¹⁶atoms/cm³）
重金属杂质：ICP-MS检测限≤0.01ppb（SEMI MF1724）

表面特性检测：

表面粗糙度：AFM测试Ra≤0.2nm（SEMI MF1811）
金属污染：TXRF全元素扫描（检测限10⁹atoms/cm²）

机械性能测试：

弯曲强度：三点弯曲法≥150MPa（GB/T 6569）
显微硬度：努氏硬度≥1150HK（ISO 4545）

光学特性分析：

红外透过率：2-25μm波段（GB/T 13301）
折射率均匀性：干涉法波长632.8nm（RMS≤10⁻⁶）

缺陷表征：

漩涡缺陷：铜缀饰法（密度≤200/cm³）
氧沉淀行为：热处理+化学腐蚀（SEMI MF1390）

几何尺寸计量：

厚度偏差：激光测厚仪±10μm（SEMI M1）
翘曲度：非接触式平面度仪≤40μm（SEMI MF657）

热学性能：

热膨胀系数：2.6×10⁻⁶/K（25-1000℃，ASTM E228）
热导率：激光闪光法148W/(m·K)（ISO 22007）

光伏特性：

少数载流子扩散长度：SPV法≥300μm（GB/T 26068）
光衰减率：AM1.5光照后Δη≤0.5%（IEC 61215）

检测范围

1. 太阳能级单晶硅片： 检测核心为少子寿命分布均匀性、氧碳沉淀行为及PERC电池光衰特性

2. 半导体级硅抛光片： 聚焦纳米级表面颗粒度（≥45nm）、局部平整度（SFQR≤0.013μm）及金属污染控制

3. 重掺砷/硼硅单晶： 重点检测电阻率梯度（轴向≤15%）、掺杂均匀性及晶格应力分布

4. SOI硅片： 埋氧层厚度均匀性检测（±5nm）、顶层硅缺陷密度（≤10³/cm²）及界面态密度

5. 探测器级高阻硅： 关键检测净杂质浓度（≤1×10¹²/cm³）、γ射线能量分辨率及漏电流（≤1nA/cm²）

6. 外延硅片： 外延层厚度精度（±2.5%）、自掺杂浓度梯度及层错密度（≤5/cm²）

7. 区熔硅单晶： 碳含量控制（≤1×10¹⁶atoms/cm³）、氧含量（≤5×10¹⁶atoms/cm³）及中子嬗变掺杂均匀性

8. 硅电极材料： 重点检测放电均匀性（蚀刻速率偏差≤3%）、孔隙率（30-50%）及抗热震性

9. 硅晶锭： 轴向电阻率梯度（≤20%）、头部尾部杂质分凝系数（k=0.8）及位错增殖控制

10. 硅基薄膜材料： 非晶硅/微晶硅相含量比例（Raman分析）、氢含量（10-15at%）及光学带隙（1.7-1.8eV）

检测方法

国际标准：

SEMI MF1724-1109 硅片表面金属污染物测试规程
ASTM F1392-00 硅中替代碳含量的红外吸收测试
IEC 60904-1 光伏器件性能测试标准
ISO 14707:2015 辉光放电光谱表面分析
JIS H 0605 硅晶片结晶取向X射线测试法

国家标准：

GB/T 1554-2022 硅晶体完整性化学腐蚀检测
GB/T 24581-2022 低温FTIR法测硅中间隙氧含量
GB/T 40574-2021 硅片纳米形貌激光干涉测量法
GB/T 26067-2010 硅单晶电阻率直流四探针法
GB/T 35306-2022 硅片表面颗粒激光散射检测

方法差异说明：GB/T 1554与SEMI MF1810均采用铬酸腐蚀液，但浓度配比存在±5%差异；ASTM F1188与GB/T 24581在氧含量计算系数上分别为4.81×10¹⁷和4.81×10¹⁷ atoms/cm³·cm⁻¹

检测设备

1. 高分辨率X射线衍射仪： Bruker D8 DISCOVER（角度分辨率0.0001°，双晶Ge220单色器）

2. 傅里叶红外光谱仪： Thermo Nicolet IS50（光谱分辨率0.09cm⁻¹，液氮冷却MCT检测器）

3. 全自动四探针测试仪： Kyence R54S（量程0.0005-1999Ω·cm，重复性±0.5%）

4. 微波光电导衰减仪： Semilab WT-2000（寿命检测范围0.1-10000μs，激光波长904nm）

5. 辉光放电质谱仪： Thermo Scientific GD-MS（检出限0.01ppt，深度分辨率5nm）

6. 低温强场霍尔测试系统： Lake Shore CRX-4K（磁场强度1.5T，温度范围4K-400K）

7. 原子力显微镜： Bruker Dimension Icon（扫描范围90μm，分辨率0.1nm）

8. 全自动晶片几何参数仪： KLA PWG（厚度精度±0.1μm，平面度检测速度5秒/片）

9. 二次离子质谱仪： CAMECA IMS 7f（空间分辨率50nm，深度分辨率3nm/100s）

10. 激光闪光导热仪： Netzsch LFA 467（温度范围-120~2000℃，重复性±2%）

11. 低温光致发光谱仪： Horiba LabRAM HR（光谱分辨率0.35cm⁻¹，液氦恒温器4K）

12. 紫外可见分光光度计： PerkinElmer Lambda 1050（波长范围175~3300nm，杂散光<0.00007%）

13. 全反射X射线荧光仪： Bruker S2 PICOFOX（元素检测范围Na-U，检出限10⁸atoms/cm²）

14. 扫描电子显微镜： Zeiss Gemini 500（分辨率0.8nm@15kV，EBSD系统）

15. 深能级瞬态谱仪： PhysTech FT-1230（温度范围40-400K，分辨率0.01eV）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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