半导体指标杂质分析

点击：919丨发布时间：2026-03-20 19:15:13丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，半导体指标杂质分析

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.金属杂质分析：钠，钾，钙，镁，铁，铜，镍，铬，锌，铝含量测定。

2.碱金属与碱土金属分析：锂，钠，钾，铷，镁，钙，锶，钡含量测定。

3.过渡金属杂质分析：铁，钴，镍，铜，锰，钛，钒，钼，钨含量测定。

4.重金属杂质分析：铅，镉，汞，砷，铬，铊，锑，铋含量测定。

5.非金属杂质分析：碳，硫，磷，硼，氯，氟，氧，氮含量测定。

6.卤素残留分析：氟离子，氯离子，溴离子，碘离子残留量测定。

7.离子污染分析：铵根，钠离子，钾离子，钙离子，镁离子，氯离子，硝酸根，硫酸根测定。

8.颗粒污染分析：颗粒数量，颗粒粒径分布，大颗粒占比，表面颗粒附着情况测定。

9.痕量元素分析：痕量铝，痕量铁，痕量铜，痕量锌，痕量钠，痕量钾测定。

10.稀土及微量元素分析：镧，铈，镨，钕，钐及其他微量元素含量测定。

11.表面污染分析：表面金属残留，表面离子残留，表面有机残留，表面沉积物测定。

12.纯度与杂质总量分析：主成分含量，杂质总量，痕量杂质总和，不挥发残留测定。

检测范围

半导体硅片、单晶硅、多晶硅、外延片、抛光片、刻蚀片、半导体靶材、光刻胶原料、电子特气材料、湿电子化学品、超纯水、晶圆清洗液、封装基板、引线框架、键合金属材料、薄膜沉积材料、掺杂源材料、石英器件、陶瓷部件、晶圆表面残留物

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量金属元素分析，适合多元素同时测定，检出能力较高。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于多种金属元素含量测定，适合中高含量杂质的快速分析。

3.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子杂质分析，可测定氯离子，氟离子，硫酸根及钠离子等项目。

4.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素的定量分析，适合常规杂质项目检测。

5.辉光放电质谱仪：用于固体样品中痕量元素直接分析，可评价材料体相杂质分布情况。

6.总有机碳分析仪：用于测定样品中的有机碳残留，适用于纯水及化学试剂洁净度分析。

7.激光粒子计数器：用于颗粒数量与粒径分布测定，适合液体或洁净环境中的颗粒污染评估。

8.扫描电子显微镜：用于观察样品表面形貌与颗粒附着状态，可辅助分析污染物形态特征。

9.能谱分析仪：用于颗粒或表面污染物元素组成分析，可配合显微观察开展局部成分判定。

10.紫外可见分光光度计：用于部分杂质项目及显色反应体系测定，适合常规含量分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。