半导体纯度分析

点击：95丨发布时间：2026-03-31 18:47:42丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，半导体纯度分析

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.主成分含量分析：主元素含量测定，纯度测定，杂质总量评估，组分均匀性分析。

2.金属杂质分析：铁含量，铜含量，铝含量，钠含量，钾含量，钙含量，镁含量测定。

3.痕量元素分析：痕量硼测定，痕量磷测定，痕量砷测定，痕量锑测定，痕量镍测定，痕量铬测定。

4.非金属杂质分析：氧含量，碳含量，硫含量，氮含量，氯含量，氟含量测定。

5.离子污染分析：阴离子残留测定，阳离子残留测定，可溶性离子总量评估，表面离子污染分析。

6.颗粒污染分析：颗粒数量统计，粒径分布测定，大颗粒检出，微粒污染水平评估。

7.表面洁净度分析：表面有机残留检测，表面无机残留检测，表面污染物分布分析，清洗后洁净度评估。

8.晶体缺陷分析：位错密度测定，层错分析，缺陷分布观察，微裂纹检测。

9.掺杂浓度分析：掺杂元素含量测定，掺杂均匀性评估，载流子相关杂质分析，局部浓度分布测定。

10.薄膜纯度分析：薄膜组分测定，界面杂质分析，膜层污染检测，膜厚均匀区域纯度评估。

11.化学试剂纯度分析：酸类纯度测定，碱类纯度测定，溶剂杂质分析，水质离子残留检测。

12.气体纯度分析：主体气体含量测定，微量水分检测，微量氧检测，烃类杂质分析，酸性杂质检测。

检测范围

高纯硅料、硅单晶、硅多晶、硅片、外延片、抛光片、半导体晶圆、光刻胶、电子特气、高纯氮气、高纯氢气、高纯氩气、超纯水、蚀刻液、清洗液、靶材、金属薄膜、介质薄膜、封装材料、电子化学品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定半导体材料及化学品中的痕量金属元素，适合低含量杂质分析。

2.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于多元素定量分析，可检测主量及次痕量无机元素组成。

3.离子色谱仪：用于分析阴离子和阳离子残留，适用于超纯水、清洗液及表面提取液检测。

4.气相色谱仪：用于检测挥发性有机杂质和气体组分，可评估电子气体及溶剂纯度。

5.液相色谱仪：用于分离和测定复杂有机杂质，适合光刻相关材料及液体试剂分析。

6.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素定量测定，在常规无机杂质分析中应用广泛。

7.扫描电子显微镜：用于观察样品表面形貌、颗粒附着及微观缺陷，可辅助污染溯源分析。

8.傅里叶变换红外光谱仪：用于识别有机残留和部分无机官能团信息，适合表面污染物定性分析。

9.激光粒度分析仪：用于测定颗粒粒径分布和粒径变化，适合浆料及悬浮液中颗粒污染评估。

10.总有机碳分析仪：用于测定水样及化学品中的有机碳总量，可反映有机污染控制水平。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。