集成电路指标浓度分析

点击：970丨发布时间：2026-04-07 17:20:39丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，集成电路指标浓度分析

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.基体元素组成分析：硅含量测定，金属层元素组成测定，介质层成分分析，封装材料成分分析。

2.痕量杂质元素分析：钠含量测定，钾含量测定，铁含量测定，铜含量测定，镍含量测定。

3.重金属浓度分析：铅浓度测定，镉浓度测定，汞浓度测定，铬浓度测定，砷浓度测定。

4.掺杂元素浓度分析：硼浓度测定，磷浓度测定，砷浓度测定，锑浓度测定，局部掺杂分布测定。

5.表面污染物分析：氯离子残留测定，氟离子残留测定，硫残留测定，钠盐残留测定，有机残留物测定。

6.金属互连成分分析：铝层成分测定，铜层成分测定，钨层成分测定，阻挡层元素分析，扩散层成分分析。

7.封装材料浓度分析：环氧组分分析，填料含量测定，阻燃成分测定，固化残留分析，助剂含量测定。

8.焊接材料成分分析：锡含量测定，银含量测定，铜含量测定，焊料杂质分析，助焊残留分析。

9.薄膜层浓度分布分析：氧含量分布测定，氮含量分布测定，碳含量分布测定，界面元素迁移分析。

10.离子污染浓度分析：可溶性离子总量测定，氯离子浓度测定，溴离子浓度测定，硝酸根浓度测定，硫酸根浓度测定。

11.有机挥发残留分析：残留溶剂测定，低分子挥发物测定，清洗剂残留测定，封装挥发组分分析。

12.局部异常富集分析：颗粒异物成分分析，腐蚀区元素分析，裂纹处成分分析，失效点杂质富集分析。

检测范围

晶圆、芯片裸片、逻辑芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、射频芯片、传感芯片、封装芯片、引线框架、焊球、焊点、键合丝、封装树脂、塑封料、陶瓷封装体、金属化层、钝化层、介质薄膜、基板

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于多种金属元素含量测定，适合基体成分与杂质元素的定量分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量元素浓度测定，适合高灵敏度杂质筛查与污染分析。

3.原子吸收分光光度计：用于特定金属元素含量测定，可开展常见重金属和微量元素分析。

4.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子残留测定，适合表面离子污染及可溶性盐类分析。

5.气相色谱仪：用于挥发性有机组分分离测定，适合残留溶剂和有机污染物分析。

6.液相色谱仪：用于非挥发性有机成分测定，适合助剂、添加组分及残留物分析。

7.傅里叶变换红外光谱仪：用于材料官能团和有机基体成分识别，适合封装材料与残留物定性分析。

8.扫描电子显微镜：用于微区形貌观察和局部异常部位定位，可辅助开展颗粒、裂纹和腐蚀区域分析。

9.能谱分析仪：用于微区元素组成测定，适合局部富集、异物成分及界面元素分布分析。

10.二次离子质谱仪：用于薄膜和微区元素深度分布测定，适合掺杂浓度分析与层间元素迁移研究。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。