胶块X射线光电子能谱分析

点击：4丨发布时间：2025-07-10 09:54:15丨关键词：CMA/CNAS资质，中析研究所，胶块X射线光电子能谱分析

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

表面元素分析：

• 元素定量：C/O/N/Si原子浓度（±0.3at%精度，ISO18117）
• 特征峰识别：Cl2p（200.0±0.3eV）、F1s（689.5±0.5eV）结合能定位

• 碳键解析：C-C/C-H（284.8eV）、C-O（286.5eV）、O-C=O（289.0eV）分峰拟合
• 硅氧状态：Si-O-Si（103.5eV）与Si-C（101.8eV）峰面积比

• 纵向分布：Ar+溅射速率（0.5nm/min，ISO20903）
• 界面扩散：C/Si元素梯度变化（步长5nm）

• 电子态密度：0-30eV结合能范围特征谱（分辨率0.5eV）

• 表面污染物：Na1s（1072.3eV）、K2p（293.1eV）半定量
• 有机残留：特征团簇离子峰（m/z<200）

• 氧组分：金属氧化物（O1s=530.5eV）与羟基（532.0eV）比例

• 交联密度：C-O/C=O峰强比变化率（Δ≥15%）

• 氧化层厚度：O/Si比值随深度衰减曲线

• 紫外吸收剂：N1s（400.2eV）特征峰强度

• 界面化学：脱粘区Si2p化学位移（ΔBE≥0.8eV）

检测范围

1.环氧树脂胶：测定胺类固化剂残留及氧化降解层厚度，重点监控N/C原子比变化

2.有机硅密封胶：Si-O-Si交联网络分析，量化Si-C键断裂程度及表面富氧层

3.聚氨酯结构胶：N1s精细谱解析异氰酸酯转化率，检测氨基甲酸酯键（399.8eV）形成

4.丙烯酸压敏胶：表面添加剂迁移分析，定量低分子量齐聚物（C-O-C286.3eV）浓度

5.橡胶基胶黏剂：硫磺/过氧化物硫化体系鉴别，S2p双峰（164.0eV/168.5eV）比值测定

6.UV固化胶：光引发剂残留检测，苯甲酮类C=O（287.2eV）特征峰监控

7.导电银胶：Ag3d轨道结合能偏移（Δ±0.2eV），评估银氧化程度

8.热熔胶：蜡组分表面偏析分析，检测长链烷烃C-C（285.0eV）峰值强度

9.厌氧胶：氧阻聚层表征，监测固化前后O/C原子浓度梯度差异

10.生物胶：蛋白质变性评估，N1s谱中酰胺键（400.1eV）与氨基（399.0eV）比例

检测方法

国际标准：

• ISO15472:2010表面化学分析-XPS-能谱仪能量标校准
• ISO18117:2009样品处理与制备导则
• ASTME1523-03电荷控制和电荷参比技术

• GB/T30704-2014表面化学分析XPS数据记录与报告
• GB/T28894-2012表面化学分析分析前样品处理

检测设备

1.X射线光电子能谱仪：ThermoScientificK-Alpha+（单色化AlKα源，能量分辨率≤0.45eV）

2.离子溅射枪：EX06氩离子源（能量范围0.1-6keV，束流密度0.1-10μA/mm²）

3.样品冷冻台：CryoSamplePrepStation（最低温度-190℃，控温精度±1℃）

4.紫外光清洗机：UV-1臭氧清洗仪（波长185nm/254nm，功率密度15mW/cm²）

5.原位断裂装置：KratosIn-situFractureStage（断裂力范围5-500N）

6.荷电中和系统：DualBeamChargeCompensation（低能电子束0-10eV，氩离子束0-20eV）

7.微聚焦X射线源：MonochromatedMicrofocusSource（束斑尺寸7-400μm）

8.深度剖析控制器：SputterRateCalibrator（溅射速率精度±5%）

9.超高真空系统：TurboMolecarPumpingStation（基础真空≤5×10⁻⁹mbar）

10.能量分析器：180°双聚焦半球分析器（能量分辨率0.4eV@Ag3d）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

📝 报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

⏳ 检测周期：7~15工作日，可加急。

🏅 资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

📏 标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

🔬 非标测试：支持定制化试验方案。

📞 售后：报告终身可查，工程师1v1服务。