点击:90丨发布时间:2025-06-09 09:52:01丨关键词:CMA/CNAS/ISO资质,中析研究所,硅烷气检测
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
纯度分析:
1. 电子级硅烷:纯度≥6N,重点控制金属离子、颗粒物对晶圆污染
2. 太阳能级硅烷:纯度≥5N,侧重氧化产物、水解杂质对薄膜均匀性影响
3. 硅外延生长用气:监控PH₃/AsH₃等掺杂剂干扰,确保生长速率稳定
4. 氮化硅沉积气源:检测NH₃反应残留物,防止薄膜应力异常
5. 平板显示镀膜气:严控颗粒物与水分,保障TFT阵列良率
6. 光导纤维预制棒原料:检测SiO₂微粒浓度,降低光纤传输损耗
7. 气相沉积(CVD)反应气:分析热分解特性,优化沉积工艺窗口
8. 离子注入辅助气体:验证硼/磷杂质含量,避免半导体掺杂异常
9. 特种玻璃镀膜气:控制碱金属残留,提升玻璃表面硬度
10. 硅碳化物合成气:监测含碳杂质,保证SiC晶体结构完整性
国际标准:
1. 气相色谱质谱联用仪:Agilent 8890-5977B(检测限0.01ppb,毛细管柱DB-1)
2. 高分辨电感耦合等离子体质谱仪:Thermo iCAP RQ(质量范围2-290amu,检出限0.001ppt)
3. 激光痕量水分析仪:Michell S8000(量程-110~-20℃露点,精度±0.2℃)
4. 傅里叶红外光谱仪:Bruker Vertex 80v(分辨率0.1cm⁻¹,Si-O键特征峰检测)
5. 凝结核粒子计数器:TSI 3772(粒径范围2~3000nm,流量1.0L/min)
6. 脉冲放电氦离子化检测器:Valco PDHID-201(对无机气体灵敏度达5ppb)
7. 高温热解装置:定制反应器(温度范围25~800℃,气路全PFA材质)
8. 紫外光加速老化箱:Atlas UVTest(波长254nm,辐照度1.0W/m²)
9. 高压气体反应釜:Parr 4575(耐压200bar,PTFE内衬)
10. 激光粒度分析仪:Malvern Mastersizer 3000(测量范围0.01~3500μm)
11. 四极杆质谱气体分析仪:Hiden HPR-20(响应时间<1ms,质量数1~300)
12. 低温冷镜露点仪:MBW 373(测量范围-100~+20℃,精度±0.1℃)
13. 气相色谱-脉冲火焰光度检测器:GL Sciences GC4000-PFPD(P/As检测限0.05ppb)
14. 全自动气体采样系统:ENTECH 7100(多路采样,记忆效应<0.1%)
15. 爆炸极限测试装置:Koenen管(符合GB/T 21844测试规范)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。