化合物半导体检测

点击：93丨发布时间：2025-05-27 17:06:39丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，化合物半导体检测

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.载流子浓度：采用霍尔效应测试系统测量（10¹⁴-10¹⁹cm^-3），误差≤5%
2.迁移率：低温（77K）至室温（300K）范围内动态测试（10-10⁴cm²/Vs）
3.缺陷密度：通过深能级瞬态谱（DLTS）分析（灵敏度≥10¹⁰cm^-3）
4.能带结构：紫外光电子能谱（UPS）测定价带顶位置（分辨率≤0.1eV）
5.热导率：激光闪射法测量（25-500℃温区精度3%）

检测范围

1.III-V族化合物：GaAs基射频器件、InP光电器件
2.宽禁带半导体：4H-SiC功率器件、GaNHEMT外延片
3.II-VI族材料：ZnO压敏电阻、CdTe光伏薄膜
4.氧化物半导体：IGZO显示背板、β-Ga₂O₃功率器件
5.异质结结构：AlGaN/GaN二维电子气界面特性分析

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：化合物半导体电学特性标准测试规程
2.ISO14707:2015：辉光放电光谱成分深度剖析方法
3.GB/T35099-2018：半导体材料缺陷X射线双晶衍射检测
4.IEC60749-28:2017：功率器件高温反向偏置试验
5.GB/T14862-2019：半导体晶片表面金属污染测定

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲I-V多模式测试
2.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：双晶衍射摇摆曲线半宽≤12arcsec
3.AgilentB1505A功率器件分析仪：最大电压3kV/电流1500A
4.ThermoScientificNexsa表面分析系统：XPS/UPS/AES三模集成
5.NetzschLFA467HyperFlash激光导热仪：温度范围-125~1100℃
6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100深硅刻蚀机：异质结界面制备
7.HamamatsuC12132光电导衰退测试系统：少子寿命测量精度5ns
8.VeecoDimensionIcon原子力显微镜：0.1nm垂直分辨率
9.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：空间分辨率≤0.5μm
10.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统：TEM样品制备定位精度50nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。