照相蚀刻法检测

点击：95丨发布时间：2025-05-23 09:18:06丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，照相蚀刻法检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.线宽精度：测量特征尺寸偏差（0.1μm~2.5μm）
2.蚀刻深度：控制范围50nm-500μm（台阶仪测量）
3.表面粗糙度：Ra值要求≤0.05μm（白光干涉仪检测）
4.侧壁角度：垂直度偏差≤1（SEM剖面分析）
5.缺陷密度：允许值≤0.1个/cm（暗场显微镜统计）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆、GaAs衬底、碳化硅基板
2.金属薄膜：铜互连层、铝电极层、金凸点阵列
3.光学元件：衍射光栅、微透镜阵列、波导结构
4.MEMS器件：加速度计悬臂梁、压力传感器膜片
5.PCB线路板：高密度互连线路、微孔阵列结构

检测方法

ASTMF533-15(2020)：半导体晶圆蚀刻形貌表征规程
ISO14606:2015：微结构蚀刻深度测量方法
GB/T39143-2020：集成电路用硅片表面质量检测方法
ASTME112-13：晶粒尺寸测定标准试验方法
GB/T3505-2009：产品几何技术规范表面结构轮廓法

检测设备

1.KLA-TencorP16+表面缺陷检测系统（0.12μm分辨率）
2.BrukerContourGT-X3白光干涉仪（垂直分辨率0.1nm）
3.HitachiSU5000场发射扫描电镜（1nm分辨率）
4.VeecoDektakXT台阶轮廓仪（0.1高度灵敏度）
5.OlympusOLS5000激光共聚焦显微镜（12000:1动态范围）
6.ZygoNewView9000三维形貌仪（0.01nmRMS重复精度）
7.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束系统（5nm加工精度）
8.KeyenceVHX-7000数字显微镜（20-6000倍连续变倍）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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