离子半导体检测

点击：95丨发布时间：2025-05-22 09:44:14丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，离子半导体检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.载流子浓度：测量范围1E12-1E20cm⁻，精度3%
2.迁移率测试：霍尔迁移率范围10-10,000cm/(Vs)
3.缺陷密度分析：分辨率≤1E8cm⁻
4.电阻率测定：量程0.001-1000Ωcm
5.界面态密度：能量分辨率0.01eV
6.热稳定性测试：温度范围-196℃~1200℃
7.杂质浓度分析：检出限≤0.1ppb

检测范围

1.硅基半导体材料（单晶硅/多晶硅）
2.III-V族化合物半导体（GaAs/GaN/InP）
3.氧化物半导体（IGZO/ITO）
4.有机半导体材料（并五苯/酞菁类）
5.离子注入后晶圆材料
6.二维半导体材料（MoS₂/WSe₂）
7.柔性电子器件薄膜

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：霍尔效应测试标准方法
2.ISO18114:2021：二次离子质谱法(SIMS)
3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率测定规范
4.JESD22-A108F：温度循环可靠性测试
5.IEC60749-28:2017：热特性参数测试
6.GB/T35007-2018：化合物半导体缺陷检测
7.ASTME112-13：晶粒尺寸测定标准

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV测量
2.ThermoFisherScientificSIMS7G-IC：深度分辨率＜5nm
3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：扫描精度0.1nm
4.AgilentB1500A半导体分析仪：频率范围1μHz-110MHz
5.OxfordInstrumentsPlasmaPro100CVD：等离子体均匀性2%
6.HitachiSU9000场发射电镜：分辨率0.4nm@15kV
7.LakeShoreCRX-VF探针台：温控精度0.01K
8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率＜300nm
9.KLASurfscanSP7XP缺陷检测系统：灵敏度30nm颗粒
10.VeecoDektakXT轮廓仪：垂直分辨率0.1

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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