干法刻蚀检测

点击：910丨发布时间：2025-04-10 16:11:47丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，干法刻蚀检测

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.刻蚀速率：测量单位时间材料去除量（nm/min），精度0.5nm

2.选择比：计算目标材料与掩膜/底层材料的刻蚀速率比值（≥10:1）

3.各向异性度：评估侧壁垂直度（85-95角偏差≤1）

4.表面粗糙度：AFM测试Ra值（≤0.5nmRMS）

5.残留物分析：XPS检测表面元素污染（杂质含量≤0.1at%）

检测范围

1.半导体材料：单晶硅、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等

2.金属薄膜：铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)及其合金

3.介质材料：二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、低k介质

4.光刻胶材料：DUV光刻胶、EUV光刻胶

5.化合物半导体：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)

检测方法

1.ASTMF1390-2021：等离子体刻蚀系统残留气体分析规程

2.ISO14606:2022：扫描电子显微镜(SEM)侧壁形貌表征方法

3.GB/T16595-2017：微电子器件表面粗糙度测量规范

4.ASTME2108-16：椭偏仪测量薄膜厚度标准方法

5.GB/T35097-2018：X射线光电子能谱(XPS)表面成分分析通则

检测设备

1.HitachiSU5000场发射扫描电镜：5nm分辨率形貌分析

2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：0.1nm精度粗糙度测量

3.KLATencorP17+轮廓仪：0.5nm台阶高度测量

4.ThermoScientificNexsaXPS系统：0.1at%元素灵敏度

5.J.A.WoollamM-2000椭偏仪：0.1薄膜厚度解析

6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100刻蚀机：工艺参数实时监控

7.Keysight8509B网络分析仪：高频器件结构完整性验证

8.LeicaDM8000M金相显微镜：50-1000倍宏观缺陷观测

9.Agilent720ESICP-OES：金属污染浓度定量分析

10.VeecoDektakXT台阶仪：150mm晶圆全自动扫描

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。