掺杂晶体检测

点击：913丨发布时间：2025-05-12 11:58:57丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，掺杂晶体检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.掺杂元素浓度测定：测量范围110⁴~110⁰atoms/cm，精度3%

2.晶格常数变化量：分辨率0.0001，测量误差≤0.002

3.载流子迁移率：温度范围77-400K，测试精度5cm/(Vs)

4.缺陷密度分析：灵敏度≥110cm⁻，定位精度0.5μm

5.热稳定性测试：温度范围RT-1200℃，升温速率0.1-50℃/min

1.半导体掺杂晶体：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等IV-IV族化合物

2.光学晶体：掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)、掺钛蓝宝石(Ti:Al₂O₃)等激光晶体

3.压电晶体：掺铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)等功能晶体

4.闪烁晶体：掺铊碘化钠(NaI:Tl)、掺铈钇铝石榴石(Ce:YAG)等辐射探测材料

5.超硬晶体：掺硼立方氮化硼(c-BN)、掺钨金刚石(WD)等超硬材料

1.ASTMF723-18：半导体材料中杂质浓度的二次离子质谱测定法

2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定晶体表面掺杂元素

3.GB/T1551-2021：硅单晶电阻率测定直排四探针法

4.ISO20203:2006：X射线衍射法测定铝碳化硅晶格参数

5.GB/T35008-2018：激光晶体光学均匀性干涉测量方法

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备高分辨率测角器（0.0001），用于晶格常数测定

2.CAMECAIMS7f-auto二次离子质谱仪：质量分辨率＞15,000M/ΔM，深度分辨率＜1nm

3.AgilentB1500A半导体参数分析仪：电流测量下限0.1fA，支持脉冲IV测试模式

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：扫描范围90μm90μm，Z轴分辨率0.05nm

5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：空间分辨率＜300nm，光谱范围200-2100cm⁻

6.OxfordInstrumentsMicroSenseCVmap电容电压测试系统：频率范围1kHz-10MHz

7.ZEISSCrossbeam550聚焦离子束显微镜：定位精度5nm，配备EDX能谱附件

8.LakeShoreM91快速Hall效应测试系统：磁场强度2T，温度范围10-400K

9.PerkinElmerLambda1050+紫外分光光度计：波长精度0.08nm，杂散光＜0.00007%T

10.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：检出限＜0.1ppt，质量数范围

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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