氮化硅化学纯度测试

点击：90丨发布时间：2026-03-19 11:31:19丨关键词：CMA/CNAS/ISO资质，中析研究所，氮化硅化学纯度测试

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

1.主成分含量：氮化硅含量，总硅含量，总氮含量，化学计量比。

2.金属杂质元素：铁含量，铝含量，钙含量，镁含量。

3.碱金属杂质：钠含量，钾含量，锂含量，铷含量。

4.过渡元素杂质：钛含量，铬含量，锰含量，镍含量。

5.重金属杂质：铜含量，锌含量，铅含量，镉含量。

6.非金属杂质组分：氧含量，碳含量，硫含量，氯含量。

7.游离组分：游离硅含量，游离碳含量，未反应物含量，残余反应副产物。

8.氧化物杂质：二氧化硅含量，氧化铝含量，氧化钙含量，氧化铁含量。

9.酸碱溶出成分：酸溶杂质，碱溶杂质，可溶性盐，总溶出物。

10.挥发与残留指标：灼烧减量，干燥失重，挥发分，不挥发残留物。

11.痕量元素分析：痕量硼，痕量磷，痕量钼，痕量钨。

12.离子杂质：氟离子，氯离子，硫酸根，硝酸根。

检测范围

氮化硅粉体、氮化硅颗粒料、氮化硅喷雾造粒粉、氮化硅陶瓷坯料、氮化硅烧结体、氮化硅结构陶瓷、氮化硅基板、氮化硅陶瓷球、氮化硅陶瓷轴承件、氮化硅密封环、氮化硅导热部件、氮化硅耐磨零件、氮化硅涂层材料、反应烧结氮化硅材料、热压氮化硅材料、气压烧结氮化硅材料

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定多种金属元素及杂质元素含量，适合多元素同步分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量元素分析，可实现低含量杂质的精确定量。

3.原子吸收光谱仪：用于部分金属元素含量测定，适用于常见杂质元素分析。

4.紫外可见分光光度计：用于特定化学组分的显色测定，可辅助分析硅、磷等成分。

5.氧氮氢分析仪：用于测定样品中的氧、氮等气体元素含量，评价材料化学组成状态。

6.碳硫分析仪：用于检测碳和硫含量，适合非金属杂质与残留组分分析。

7.离子色谱仪：用于测定可溶性阴离子和部分离子杂质，适合氯离子、氟离子等分析。

8.电子天平：用于样品称量与前处理质量控制，保证定量分析数据准确性。

9.马弗炉：用于灼烧减量、灰分及热处理前处理操作，辅助评价挥发与残留指标。

10.微波消解仪：用于样品前处理和酸消解，使固体样品转化为适合仪器分析的溶液状态。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。